[发明专利]一种提高多晶硅双面太阳能电池背面开压的镀膜工艺

摘要

本发明涉及P型多晶双面太阳能电池的生产制造领域，具体是一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺。步骤一、将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V。缓慢升高电压，对工件背面进行溅射2‑4秒；步骤二、将温度冷到430℃‑450℃进行PECVD镀膜。本发明在PECVD镀膜前，对多晶硅片背面进行银硅掺杂，使SiN附在银硅掺杂硅层上提高了多晶硅太阳能电池背面开压。

主权项

一种提高多晶硅太阳能电池背面开压的镀膜工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：步骤一、将多晶硅片基材和纯银靶材置于等离子合金化炉内，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，气压控制在35Pa，同时开启工件电源和源极电源，使工件电压高于源极电压，压差保持250V，缓慢升高电压，温度升至930℃后，保温30min，对工件两面分别进行溅射2‑4秒，使在多晶硅片背面表面形成一层银硅掺杂层；步骤二、将温度降到430℃‑450℃进行PECVD镀膜，底层膜镀膜时，SiH4气体流量为3.6slm，NH3的气体流量为1100sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W，顶层膜镀膜时，SiH4气体流量为6.8slm，NH3的气体流量为680sccm，镀膜时间150s，射频功率为5650W。