[发明专利]成膜装置在审
| 申请号： | 201610709365.0 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106480415A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 太田将志;川田琢也;山根靖正;远藤佑太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人： | 周善来;王玉玲 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种结晶性高的氧化物。或者，提供一种具有缺陷少的结晶结构的氧化物。或者，提供一种缺陷能级密度低的氧化物。或者，提供一种杂质浓度低的氧化物。或者，提供一种能够形成上述氧化物的成膜装置。成膜装置包括靶材架、衬底架、第一电源及第二电源，其中靶材架与第一电源电连接，衬底架与第二电源电连接，第二电源具有施加比接地电位高的电位的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，包括：靶材架；衬底架；第一电源；以及第二电源，其中，所述靶材架与所述第一电源电连接，所述衬底架与所述第二电源电连接，并且，该第二电源施加比接地电位高的电位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610709365.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
