[发明专利]一种具有ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层和AlGaInP粗化层，在图案化的AlGaInP粗化层上设有ITO薄膜接触层，ITO薄膜接触层为图案化的ITO薄膜接触层，在图案化的ITO薄膜接触层上设有金属电极层，在GaAs衬底的下面设有背电极层，其特征在于：所述金属电极层包括主电极和扩展电极，其中：主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上，扩展电极连接在ITO薄膜接触层上。本发明提高了整个金属电极层的附着性和完整性，确保了发光二极管的工作电压稳定，提高了产品的焊线可靠性和发光效率，极大地提升了产品的质量和良率。

主权项

1.一种具有ITO薄膜结构的LED芯片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底的上面依次设有缓冲层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层和AlGaInP粗化层， AlGaInP粗化层为图案化的AlGaInP粗化层，在图案化的AlGaInP粗化层上设有ITO薄膜接触层，ITO薄膜接触层为图案化的ITO薄膜接触层，在图案化的ITO薄膜接触层上设有金属电极层，在GaAs衬底的下面设有背电极层，其特征在于：所述金属电极层包括主电极和扩展电极，其中：主电极连接在图案化的AlGaInP粗化层上，扩展电极连接在ITO薄膜接触层上。