[发明专利]阵列基板制造方法有效
| 申请号： | 201610709383.9 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106292198B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 豆婷;李强 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供阵列基板制造方法，其包括在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设图案的轮廓相同；在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；根据图案化的第一光阻层图案化所述基础摸层；去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，在基础膜层表面依次形成第一光阻层及第二光阻层；在所述第二光阻层上方形成第一光罩并曝光以对第二光阻层图案化形成图案化的第二光阻层；其中，所述图案化的第二光阻层中每一图案的轮廓大于预设图案的轮廓，对图案化的第二光阻层进行显影，并通过显影过程调整所述图案化的第二光阻层上每一图案的轮廓，以使图案的尺寸与预设图案的轮廓相同；在所述第一光阻层上方形成第二光罩并曝光以图案化的第一光阻层，所述图案化的第一光阻层中每一图案的轮廓等于显影后图案化的第二光阻层中图案的轮廓，去除未被所述图案化的第二光阻层遮挡的部分并露出部分基础膜层；根据图案化的第一光阻层图案化所述基础膜层；去除图案化的第一光阻层及图案化的第二光阻层。
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