[发明专利]器件表面的保护层的去除方法有效
| 申请号： | 201610709471.9 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107768232B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种器件表面的保护层的去除方法，包括：对所述保护层进行软化处理；采用快速原子轰击方式轰击已软化的所述保护层，使已软化的所述保护层中的化学键发生断链；采用灰化方法去除已断链的所述保护层。本发明通过对所述保护层进行软化处理，降低已固化的所述保护层的硬度；然后，采用快速原子轰击的方式，打断所述保护层材料的化学键，形成很多断链的化学键，使得所述保护层的性质发生变化，有利于后续的灰化处理过程；最后，对已断链的所述保护层材料通过灰化的方式就很容易被去除掉。采用本发明提供的所述去除方法，能够完全的去除所述保护层，不会影响后续返工的工艺以及器件的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 表面 保护层 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种器件表面的保护层的去除方法，其特征在于，包括：对所述保护层进行软化处理；采用快速原子轰击方式轰击已软化的所述保护层，使已软化的所述保护层中的化学键发生断链；采用灰化方法去除已断链的所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
