[发明专利]一种粉蕉高温暗培养组培快繁方法

摘要

本发明涉及植物组织培养技术领域，具体的是一种粉蕉高温暗培养组培快繁方法。一种粉蕉高温暗培养组培快繁方法，包括以下步骤：外植体准备、继代培养、生根培养。本发明的方法继代芽萌动早、分化早、分化快，繁殖系数高，有效芽率高；生根苗成苗率高，种苗叶片和假茎韧性好，根系不易脱落，假植成活率高。利用高温暗培养技术，继代周期缩短了10～15d，具有减少能耗，提高空间利用率，提高生产效率，降低生产成本优点。

主权项

1.一种粉蕉高温暗培养组培快繁方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)外植体准备及启动培养：采集粉蕉优良母树50～100cm高吸芽，经自来水冲洗干净，切除多余茎叶部，用酒精擦洗外表2～3次，在超净工作台上剥掉叶鞘并削成以生长点为中心的直径3cm、高5cm的圆柱体干茎，再从圆柱体干茎中心剥离出边长为0.3～0.5cm的小方块，即为外植体小芽块，接种到启动培养基上培养25～30d，得到丛芽；(2)继代培养；经启动培养的丛芽接种到继代培养基上，在高温暗培养条件下培养25～30d；(3)生根培养：先在高温暗培养条件下置于生根培养基中培养13～16d；再将其置于自然散射光条件下培养15～25d，得到生根组培苗；(4)炼苗：待生根组培苗长至高3～5cm、具有3～4片展开叶时，将其从培养室内移出，放在具有自然散射光条件的室外阴凉地方，炼苗7～10d，得到生根苗；(5)假植：取出生根苗，洗去根部培养基，假植于大棚内沙床上，淋足定根水，并遮阴，定期喷水，空气相对湿度为75～85％，温度为27～35℃；步骤(2)、步骤(3)中高温暗培养培养条件为：温度32～35℃，光照为<10Lux；步骤(1)和步骤(2)的启动培养基和继代培养基均为MS培养基+6‑BA2.0～3.0mg/L+IBA0.2mg/L；步骤(3)中生根培养基为MS培养基+NAA 1.0mg/L+IBA 0.2mg/L，pH5.8。