[发明专利]马达控制中的MOSFET开关温度的计算

摘要

本公开涉及马达控制中的MOSFET开关温度的计算。具体描述了用于监控一个或多个电路元件(诸如金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)开关)的操作温度的系统和技术，其中电路元件用于控制电动马达的至少一个相位。系统和技术可以通过确定在至少两个不同时刻得到的来自电路元件的至少两个电信号来计算温度。这产生精确的温度计算而不要求精确地已知每个对应电路元件的具体特性。

主权项

1.一种计算金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET开关的操作温度的系统，所述MOSFET开关控制电动马达的至少一个相，其中所述MOSFET开关包括漏极‑源极沟道和与该漏极‑源极沟道平行定位的寄生二极管，所述系统包括：控制单元，被配置为在两个以上不同时刻确定来自所述MOSFET开关的两个以上电信号，并且基于所述两个以上电信号计算所述MOSFET开关的所述操作温度，其中所述控制单元被配置为：在第一预定时刻，确定所述MOSFET开关两端的第一漏极‑源极电压等于所述寄生二极管两端的第一正向电压，并且通过所述MOSFET开关的第一电流等于通过所述寄生二极管的第一电流；在第二预定时刻，确定所述MOSFET开关两端的第二漏极‑源极电流等于所述寄生二极管两端的第二正向电压，并且通过所述MOSFET开关的第二电流等于通过所述寄生二极管的第二电流；以及基于所述寄生二极管两端的所述第一正向电压和所述第二正向电压的值以及通过所述寄生二极管的第一电流测量值和第二电流测量值计算所述MOSFET开关的所述操作温度。