[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610711417.8 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106711218A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 许育铨;游靖;邱达燕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例描述了包括衬底、至少一个栅极结构、间隔件和应变的源极和漏极区的场效应晶体管。至少一个栅极结构设置在衬底上以及凹槽和隔离结构之间。间隔件设置在至少一个栅极结构的侧壁上。应变的源极和漏极区设置在凹槽中和位于至少一个栅极结构的相对侧壁上，并且应变的源极和漏极区的顶部边缘被间隔件覆盖和位于间隔件下方。本发明实施例涉及场效应晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：衬底，具有隔离结构和凹槽；至少一个栅极结构，设置在所述衬底上以及所述凹槽和所述隔离结构之间；间隔件，设置在所述至少一个栅极结构的侧壁上；以及应变的源极和漏极区，设置在所述凹槽中和位于所述至少一个栅极结构的相对侧壁上，其中，所述应变的源极和漏极区的顶部边缘延伸超出所述间隔件和位于所述间隔件下方，并且位于所述至少一个栅极结构的侧壁旁边。
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