[发明专利]一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法

摘要

一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，以厚度为150～200μm的铜基板为永久衬底，在侧制作键合层；在临时衬底的一侧进行外延工艺，形成外延片，通过键合层将两者键合后制成芯片，特点是：以硅进行掺杂制作n‑GaAs欧姆接触层时，以镁进行掺杂制作p‑GaP电流扩展层，在制作p‑GaP电流扩展层后，于p‑GaP电流扩展层上制作氧化铟锡透明导电层，再在氧化铟锡透明导电层上蒸镀金反射镜层。本发明可增加光电效应，大幅提升发光二极管的发光强度。

主权项

一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管，包括衬底，在衬底的一侧设置n面扩展电极，在衬底的另一侧设置键合层、p‑GaP 电流扩展层、p‑AlGaInP 限制层、MQW 有源层、n‑AlGaInP 限制层、n‑AlGaInP粗化层、n‑GaAs 欧姆接触层、p面扩展电极层和 p电极；其特征在于还包括氧化铟锡透明导电层和金反射镜层，在所述衬底的另一侧上依次设置键合层、金反射镜层、氧化铟锡透明导电层、p‑GaP 电流扩展层、p‑AlGaInP 限制层、MQW 有源层、n‑AlGaInP 限制层和n‑AlGaInP粗化层，所述n‑GaAs 欧姆接触层设置在部分n‑AlGaInP粗化层上，所述p面扩展电极层设置在所述n‑GaAs 欧姆接触层上，p电极设置在部分p面扩展电极层上；所述衬底为厚度为150～200μm的铜基板。