[发明专利]复合薄膜封装设备有效
申请号: | 201610711523.6 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN106098600B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 吕光泉;刘忆军;吴凤丽;王亮 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/52 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 复合薄膜封装设备,包括基底存放腔、基底中转腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔、原子层沉积反应腔。所述基底中转腔具有一个基底传送装置和多个闸门阀,闸门阀分别与基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔密封连接。所述基底存放腔内的存放架分为上下两层,上层为掩膜放置架,下层为基底放置架,通过控制马达实现存放架的升降移动,基底传送装置通过闸门阀可完成对基底和掩膜的取放。本发明采用单个基底传送装置,可完成基底在多个模块间的循环传递,且基底和掩膜存放在同一腔内,减少了设备的单元模块。本发明可广泛地应用于有机发光二极管薄膜封装技术领域。 | ||
搜索关键词: | 复合 薄膜 封装 设备 | ||
【主权项】:
1.复合薄膜封装设备,其特征在于:该设备包括基底存放腔、基底中转腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔及原子层沉积反应腔,所述基底中转腔具有一个基底传送装置和多个闸门阀,闸门阀分别与基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔密封连接;所述基底传送装置通过闸门阀,从基底存放腔、掩膜对正腔、等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔内进行基底取放;所述等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔,根据需求在基底上进行不同材料和厚度的薄膜沉积,基底通过基底传送装置在等离子体化学沉积反应腔和原子层沉积反应腔之间的循环传递,以实现在基底上沉积多层材料结构的复合膜;所述基底存放腔设有基底进出窗口,基底通过基底进出窗口放入和取出;所述基底存放腔内设有马达,马达与滑动导轨连接,滑动导轨固定在基底存放腔上,升降支架固定在滑动导轨上,升降支架上端连接存放架;所述存放架分为上下两层,上层为掩膜放置架,下层为基底放置架,通过控制马达实现存放架的升降移动,基底传送装置通过闸门阀完成对基底和掩膜的取放。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造