[发明专利]一种微纳级半导体光电特性三维检测系统有效
申请号: | 201610712826.X | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN106206352B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 苏中;余丽波;赵旭;张昊;刘洪;付国栋;柯尊贵 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市合德专利事务所 11244 | 代理人: | 王文会;刘榜美 |
地址: | 100101 北京市朝阳区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种微纳级半导体光电特性三维检测系统,根据本发明的微纳级半导体光电特性三维检测系统包括:光信号激励源/CCD显微镜1,用于为晶圆4提供光激励输入信号,并提供机器视觉;IV/CV/脉冲/噪声测量装置12,用于对晶圆4提供激励信号并采集被测晶圆4输出信号;超低温环境水汽检测循环除湿装置13,用于检测并降低低水汽含量;大跨层温度控制装置14,为被测晶圆提供宽温环境;微弱信号提取单元11,用于测量被测晶圆输出的微弱信号;双重针压检测装置3及探针2,用于接触晶圆并对准位置及接触面;卡盘5,用于承载被测晶圆;四轴移动台体6,用于XYZ轴线性移动和R轴旋转移动;密封屏蔽暗箱7,用于为被测晶圆提供稳定的光暗、温湿度测试环境;控制计算机和数据分析软件15,用于实现系统的一体化协调控制,被测晶圆检测数据的处理及分析。根据本发明的微纳级半导体光电特性三维检测系统可实现高精度、高可靠的高低温条件下自动化的半导体光电特性三维检测。 | ||
搜索关键词: | 一种 微纳级 半导体 光电 特性 三维 检测 系统 | ||
【主权项】:
1.一种微纳级半导体光电特性三维检测系统,包括:光信号激励源和CCD显微镜(1),在被测晶圆(4)进行光响应特性测试时,光信号激励源为晶圆(4)提供光激励输入信号,被测晶圆检测初始对准时,CCD显微镜提供机器视觉,检测过程中实时监测移动台走针和被测晶圆状态,IV、CV、脉冲和噪声测量装置(12),被测晶圆(4)检测过程中,对被测晶圆(4)提供激励信号,并通过微弱信号提取单元(11)及探针(2)采集被测晶圆(4)输出信号,完成IV、CV、脉冲、噪声指标检测,超低温环境水汽检测循环除湿装置(13),被测晶圆(4)超低温环境测试时,水汽结霜速度加快,该装置实现低水汽含量高精度检测及高速循环除湿,为被测晶圆(4)提供无霜环境,实现被测晶圆(4)超低温环境下检测不结霜,大跨层温度控制装置(14),通过对卡盘(5)加热或制冷为被测晶圆(4)提供宽温环境,微弱信号提取单元(11),通过探针(2)对被测晶圆(4)提供激励信号,同时测量被测晶圆(4)输出信号,双重针压检测装置(3)及探针(2),探针(2)是被测晶圆(4)光电检测的接触媒介,在被测晶圆(4)检测前,通过双重针压检测装置(3),其中通过CCD监测探针位置及形变程度结合当前压力数值,形成双重检测,调整探针(2)与被测晶圆(4)的对准位置与接触面,保证探针(2)与被测晶圆(4)可靠接触,同时不会划伤被测晶圆(4),卡盘(5),被测晶圆(4)的承载台,四轴移动台体(6),移动台体(6)通过精密控制可实现大行程高精度的XYZ轴线性移动和R轴旋转移动,密封屏蔽暗箱(7),其分为内外两层,外层为外壳,内层为保温隔热层,为被测晶圆(4)提供稳定光暗、温湿度的检测环境,控制计算机及数据分析软件(15),控制计算机实现光信号激励源和CCD显微镜(1),IV、CV、脉冲和噪声测量装置(12),超低温环境水汽检测循环除湿装置(13),大跨层温度控制装置(14),四轴移动台体(6)一体化协调控制,同时通过数据分析软件实现被测晶圆(4)检测数据的处理及分析,统计被测晶圆(4)芯片的合格品,其特征在于,通过所述超低温环境水汽检测循环除湿装置(13)与信号、控制和氮气接入口(10)实时检测晶圆安装位置水汽含量,保证水汽含量≤5000ppm,并据此调节充入氮气流量,保证在低温环境下的无霜控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造