[发明专利]正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201610712869.8 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106129212A 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 郑敏 申请(专利权)人: 厦门忠信达工贸有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 渠述华
地址: 361000 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种正装覆晶LED芯片封装体、封装方法及其应用,其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜,所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏,外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层,N电子层设于透明衬底上,该N电子层具有高端及低端,所述P电子层设于该N电子层的高端上,该P电子层上设有P电极,N电极的低端上设有N电极,该P电极的顶端与N电极的顶端平齐,P电极及N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3,该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上,所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。本发明制程简单,导热性好,封装成本较低,可利于快速大量化生产。
搜索关键词: 正装覆晶 led 芯片 封装 方法 及其 应用
【主权项】:
一种正装覆晶LED芯片封装体,其包括设于底部的线路基板、外延芯片、及荧光胶膜,所述线路基板上印刷有导电银胶或锡膏,所述外延芯片具有透明衬底、N电子层及P电子层,所述N电子层设于透明衬底上,该N电子层具有高端及低端,所述P电子层设于该N电子层的高端上,该P电子层上设有P电极,N电极的低端上设有N电极,该P电极的顶端与N电极的顶端平齐,所述P电极及所述N电极的面积分别占该外延芯片光罩面积的1/8‑1/3,该外延芯片的P电极及N电极覆晶在线路基板的导电银胶或锡膏上,所述荧光胶膜贴覆在线路基板及外延芯片的透明衬底顶部。
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