[发明专利]适用于NFC标签的解调电路

摘要

本发明涉及一种适用于NFC标签的100%解调电路，包括高压PMOS管HVPM1、HVPM2、HVPM3，高压NMOS管HVNM1、HVNM2、HVNM3、HVNM4，低压PMOS管LVPM1、LVPM2、LVPM3、LVPM4，低压NMOS管LVNM1、LVNM2、LVNM3、LVNM4，电阻R₁、R₂、R₃以及电容C1、C2。本发明的优点是：本发明采用非线性电路和低通滤波器相结合实现了对NFC读取设备输出的调制信号进行包络检波，在电路设计中通过充分利用高压器件与低压器件阈值电压特性的差异，以及配合RC滤波网络能够较好的实现了调制信号的100%解调功能。

主权项

1.一种适用于NFC标签的解调电路，其特征在于，包括高压PMOS管HVPM1、HVPM2、HVPM3，高压NMOS管HVNM1、HVNM2、HVNM3、HVNM4，低压PMOS管LVPM1、LVPM2、LVPM3、LVPM4，低压NMOS管LVNM1、LVNM2、LVNM3、LVNM4，电阻R1、R2、R3以及电容C1、C2；PMOS管HVPM1，该PMOS管HVPM1的衬底和源极接电源DVDD，漏极接NMOS管HVNM1的漏极，栅极与NMOS管HVNM1、HVNM2栅极以及与电阻R1一端连接，R1另一端接芯片天线PAD的AN端，NMOS管HVNM1源极连接HVNM2的漏极，HVNM1衬底与HVNM2衬底以及源极接地；PMOS管HVPM2，该PMOS管HVPM2的衬底与源极接电源DVDD，漏极接NMOS管HVNM3的漏极，栅极与HVNM3的栅极共同连接到HVPM1与HVNM1的漏极，NMOS管HVNM3的衬底与源极接地；PMOS管LVPM1，该PMOS管LVPM1的衬底与源极接电源DVDD，漏极接电阻R2一端，电阻R2另一端与R3一端、电容C1一端、PMOS管HVPM3的栅极以及NMOS管HVNM4的栅极连接，电阻R3另一端接NMOS管LVNM1的漏极，LVNM1衬底与源极接地，电容C1的另一端接地；PMOS管HVPM3，该PMOS管HVPM3的衬底与源极接电源DVDD，漏极接NMOS管HVNM4的漏极、电容C2的一端、PMOS管LVPM2的栅极以及NMOS管LVNM2的栅极，电容C2的另一端接地；PMOS管LVPM2，该PMOS管LVPM2的衬底与源极接电源DVDD，漏极接NMOS管LVNM2的漏极，LVNM2的衬底与源极接地；PMOS管LVPM3，该 PMOS管LVPM3的衬底与源极接电源DVDD,漏极接NMOS管LVNM3的漏极后作为解调电路的输出端RX100，栅极与LVNM3栅极共同连接到LVPM2的漏极以及LVNM2的漏极，LVNM3的衬底与源极接地。