[发明专利]一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610713428.X | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106098917A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 肖和平;王宇;孙如剑;郭冠军;马祥柱 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法，属于LED生产应用技术领域，在外延生长时，先在P‑GaP 电流扩展层表面蚀刻形成阵列分布有圆形孔的P‑GaP 图案化层，然后再在P‑GaP 图案化层表面制作氧化铟锡透明薄膜层。本发明工艺简单、合理，氧化铟锡透明薄膜具有良好的电流扩展能力，电流通过氧化铟锡透明薄膜、P‑GaP 图案化层可以均匀地注入到整个芯片表面，从而减小了电流在局部区域内的积聚，提升电流的有效效率，阵列分布有圆形孔的P‑GaP 图案化层可减少发出的光子经P‑GaP 电流扩展层全反射的机率，从而提升了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图案 亮度 algainp 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管，在GaAs 衬底正面设置N‑GaAs 缓冲层、AlAs/AlGaAs 反射层、N‑AlGaInP 下限制层、MQW 多量子阱有源层、P‑AlGaInP 上限制层、P‑GaInP缓冲层、P‑GaP 电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜层，在氧化铟锡透明薄膜层上设置P电极，在GaAs 衬底背面设置N电极；其特征在于：在P‑GaP 电流扩展层和氧化铟锡透明薄膜层之间设置具有阵列分布多个圆形孔的P‑GaP 图案化层。
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