[发明专利]具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池及其制备方法。所述电池包括硅衬底，在硅衬底的正面由内到外依次包括扩散层、掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和正电极；在硅衬底的背面由内到外依次包括缓冲钝化层、掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层和背电极。本发明的一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池结构相比传统背面局部接触结构而言，能够有效提升电池的开路电压；此外，该电池正、背表面采用透明导电薄膜与掺杂非晶硅结合的叠层膜结构，可以实现双面感光，提升发电量。

主权项

一种具有叠层异质结结构的钝化发射极太阳电池，其特征是：包括硅衬底（1），在硅衬底（1）的正面由内到外依次包括扩散层（2）、掺杂非晶硅薄膜层（3）、透明导电薄膜层（4）和正电极（5）；在硅衬底（1）的背面由内到外依次包括缓冲钝化层（6）、掺杂非晶硅薄膜层（7）、透明导电薄膜层（8）和背电极（9）：所述位于硅衬底正面的扩散层（2）与掺杂非晶硅薄膜层（3）具有与硅衬底相反的导电类型，同时具有高、低梯度掺杂的特征，共同形成正面发射极；位于硅衬底正面的透明导电薄膜层（4）起到载流子的收集以及发射极的钝化作用；位于硅衬底背面的缓冲钝化层（6）起到背面钝化的作用，同时采用与衬底导电类型相同的掺杂非晶硅层（7）作为背面场，其上沉积透明导电薄膜层（8）作为背面载流子收集层；最后在正面透明导电薄膜层（4）、背面透明导电薄膜层（8）上分别形成正电极（5）和背电极（9）。