[发明专利]热氧化改善钝化层界面的异质结电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201610713825.7 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106252424A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 孙晨光;包健 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/076;H01L31/20 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种热氧化改善钝化层截面的异质结太阳电池，包括：晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面，其特征在于：在晶体硅衬底（1）的正面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、正面掺杂层（4）、透明导电薄膜层（5）以及正面金属栅线（6）；在晶体硅衬底（1）的背面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、背面掺杂层（7）、透明导电薄膜层（5）以及背面金属栅线（8）。本发明还公开了上述异质结太阳电池的制备方法。本发明能改善单晶硅片表面缺陷，获得更好的钝化效果，提高少子寿命，增大电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 改善 钝化 界面 异质结 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种热氧化改善钝化层截面的异质结太阳电池，包括：晶体硅衬底（1），其具有一正面和一背面，其特征在于：在晶体硅衬底（1）的正面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、正面掺杂层（4）、透明导电薄膜层（5）以及正面金属栅线（6）；在晶体硅衬底（1）的背面依次设置：热氧化层（2）、本征非晶硅薄膜层（3）、背面掺杂层（7）、透明导电薄膜层（5）以及背面金属栅线（8）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610713825.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
