[发明专利]激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法在审
| 申请号： | 201610714463.3 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106129185A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 冯强;苗成祥;蔡忠兴 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司;天合光能（常州）科技有限公司;湖北天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法，具体步骤如下：首先，采用磁控溅射工艺在硅片表面制备透明导电薄膜；然后，采用激光刻蚀工艺，等距刻蚀透明导电薄膜，制备阵列纳米孔，实现等离激元增强光谱吸收；最后，采用小于700℃低温烧结浆料，制备焊接电极。本发明的方法，可以大幅度的提升晶硅太阳能电池的光生电流，光生电流最佳可以提升8.1%,光电转换效率可以提升1.5%左右。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 刻蚀 透明 导电 制备 离激元 增强 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
激光刻蚀透明导电膜制备等离激元增强晶硅太阳电池方法，其特征在于具体步骤如下：首先，采用磁控溅射工艺在太阳能电池的硅片表面制备透明导电薄膜；然后，采用激光刻蚀工艺，等距刻蚀透明导电薄膜，制备阵列纳米孔，实现等离激元增强光谱吸收；最后，采用200~700℃低温烧结浆料，制备焊接电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
