[发明专利]一种HEMT的温度相关的I-V特性及其高阶跨导的模型

摘要

本发明公开了一种HEMT的温度相关的I‑V特性及其高阶跨导的模型，建模包括(1)测试HEMT的漏源电流Ids；对步骤(1)漏源电流Ids测试数据进行处理，从而得到测试的漏源电流Ids的一阶跨导gm，二阶跨导gm2和三阶跨导gm3；(3)基于人工神经网络建立漏源电流Ids的仿真模型；计算步骤(3)建立的漏源电流Ids的仿真模型的跨导，从而得到漏源电流Ids的仿真模型的gm，gm2和gm3；计算步骤(3)建立的仿真模型的精度，若仿真模型的精度不满足实际需求，则返回步骤(3)；反之，所得仿真模型即为所求。本发明可针对于不同工艺HEMT建立温度相关的I‑V特性及其高阶跨导模型，适用面广，移植性强。

主权项

1.一种HEMT的温度相关的I‑V特性及其高阶跨导的方法，其特征在于：采用以下步骤进行建模：步骤一、测试HEMT的漏源电流Ids；所述漏源电流Ids的测试是在不同温度下进行测试；所述漏源电流Ids对应的输入为不同的漏源电压和栅源电压；步骤二、对步骤一得到的漏源电流Ids测试数据进行处理，从而得到测试的漏源电流Ids的一阶跨导gm，二阶跨导gm2和三阶跨导gm3；具体步骤包括：步骤2‑1)检查不同温度不同电压偏置时的漏源电流Ids测试数据是否有明显偏离的点，若某点对应的漏源电流Ids测试数据的数值高于或者低于相邻偏置点对应的数值的20％的点，即存在明显偏离的点，则剔除I‑V测试曲线中所有明显偏离的点的数据；步骤2‑2)对步骤2‑1)处理后的数据进行平滑，得到测试的漏源电流Ids；步骤2‑3)经过将步骤2‑2)得到的测试的漏源电流Ids进行三次连续的对于Vgs求导；步骤三、基于人工神经网络建立漏源电流Ids的仿真模型；步骤四、计算步骤三建立的漏源电流Ids的仿真模型的跨导，从而得到漏源电流Ids的仿真模型的一阶跨导gm，二阶跨导gm2和三阶跨导gm3；步骤五、计算步骤三建立的仿真模型的精度，若仿真模型的精度不满足实际需求，则返回步骤三；反之，流程结束，所得仿真模型即为所求。