[发明专利]一种由硅烷直接铸造多晶硅锭的设备及方法在审

专利信息
申请号: 201610715415.6 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106365169A 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 李学刚;肖文德 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027;C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种由硅烷直接铸造多晶硅锭的设备及方法,包括多晶硅铸锭炉(100),和连接在其顶部的硅烷分解反应器(200)以及换热器(9)。所述硅烷分解反应器(200)包括空管反应器(21)和所述空管反应器(21)外壁的加热组件(22)。所述多晶硅铸锭炉(100)包括炉体(1)、真空与保护气系统(2)、保温组件(3)、加热组件(4)、热交换台(5)、坩埚(6)、升温管(7)、水冷却系统(8);硅烷原料通过换热器(9)送入空管反应器(21)热解生成固体硅粉,经升温管(7)进入坩埚(6)形成液体硅,所述液体硅以定向凝固方式、自下而上长晶,形成的铸块经过退火、冷却后得到高质量的多晶硅锭;反应生成的氢气经换热器(9)预热硅烷原料后送出装置。与现有技术相比,本发明具有生产率高、产品质量好、综合能耗和成本低等优点。
搜索关键词: 一种 硅烷 直接 铸造 多晶 设备 方法
【主权项】:
一种由硅烷直接铸造多晶硅锭的设备,其特征在于,包括多晶硅铸锭炉(100),和连接在其顶部的硅烷分解反应器(200)。
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