[发明专利]一种自由集电极纵向PNP管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610715458.4 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449740A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 姜楠;简崇玺;赵建强;陈计学;赵娟 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自由集电极纵向PNP管，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N‑阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N‑外延层，N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N‑外延层中心还设有N‑基区，N‑基区上设有N+基区，N‑基区中心设有P+发射区；发射极与N‑阱通过深磷短接，接器件工作电压，使N‑阱与P型衬底、内P+埋层形成的PN结构处于反偏状态，实现器件纵向集电自由，克服了传统纵向PNP管集电极必须固定在最低电位的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自由 集电极 纵向 pnp 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自由集电极纵向PNP管，其特征在于，包括P型衬底，P型衬底中心设有N‑阱，N‑阱外侧的P型衬底上设有外P+埋层，N‑阱中心设有内P+埋层，P型衬底上方覆盖有N‑外延层，N‑外延层由外向内嵌有外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区，外P+隔离区、N+隔离区与内P+隔离区间隔设置，外P+隔离区的底部与外P+埋层的顶部相接，N+隔离区的底部与N‑阱的顶部相接；内P+隔离区的底部与内P+埋层的顶部相接；N‑外延层中心还设有N‑基区，N‑基区上设有N+基区，N‑基区中心设有P+发射区；P+发射区顶部、N+基区顶部与内P+隔离区顶部分别引出发射极、基极与集电极。
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