[发明专利]制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 201610715498.9 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106158979B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 高胜 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管及显示装置，其方法包括：在基底上形成包括源极区、漏极区和沟道区的半导体层；在所述半导体层上设置金属层；将所述金属层的特定区域进行预设化学反应，形成覆盖于所述沟道区的绝缘区域、与所述源极区接触的第一金属区域及与所述漏极区接触的第二金属区域；形成与所述第一金属区域电连接的源极、与所述第二金属区域电连接的漏极以及设置于所述绝缘区域上的栅极。本发明可使得柔性显示屏的使用寿命得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：在基底上形成包括源极区、漏极区和沟道区的半导体层；在所述半导体层上制备金属层；将所述金属层的特定区域进行预设化学反应，形成覆盖于所述沟道区的绝缘区域、与所述源极区接触的第一金属区域及与所述漏极区接触的第二金属区域；形成与所述第一金属区域电连接的源极、与所述第二金属区域电连接的漏极以及设置于所述绝缘区域上的栅极。
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