[发明专利]一种三氮唑醇类衍生物及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610716019.5 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106336383B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 张大志;姜远英;倪廷峻弘;蔡瞻;庞磊;谢斐;李冉;韩海冰;何焱;由守谊;仰振球;齐东绮 申请(专利权)人: 中国人民解放军第二军医大学;烟台东诚药业集团股份有限公司
主分类号: C07D249/08 分类号: C07D249/08;C07D409/06;C07D403/06;C07D401/06;C07D413/06;A61K31/4196;A61K31/506;A61K31/4439;A61K31/422;A61P31/10
代理公司: 上海卓阳知识产权代理事务所(普通合伙) 31262 代理人: 金重庆
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种三氮唑醇类衍生物及其制备方法和应用,所述的三氮唑醇类衍生物的化学结构如式I所示。本发明还提供了所述化合物的盐类、药物组合物、制备方法和用途。本发明的化合物具有较强的抗真菌活性,且具有毒性低、抗菌谱广等优点,可用于制备抗真菌药物。
搜索关键词: 一种 三氮唑醇类 衍生物 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种抗真菌的三氮唑醇类化合物,其特征在于,所述的三氮唑醇类化合物的化学结构如式I所示:式I中,R1和R2代表卤素或氢,R3代表炔或异噁唑环,R5代表氢或甲基,R4基团代表杂环或取代杂环,所述的杂环选自吡啶环、嘧啶环、呋喃环、噻吩环、吡咯环、噻唑环,或代表取代苯环;所述的取代基可位于苯环或杂环的各个位置,可以是单取代或多取代,所述的取代基选自a)、b)、c)或d):a)卤素,所述的卤素为F、Cl、Br或I,b)吸电子基团,所述的吸电子基团为氰基、硝基或甲磺酰基,c)1‑4个碳原子的低级烷基或卤素取代的低级烷基,d)1‑4个碳原子的低级烷氧基或卤素取代的低级烷氧基。
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