[发明专利]一种金属网络透明导电电极的全液相制备方法有效

专利信息
申请号: 201610716740.4 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106328260B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 高进伟;韩兵;冼志科;李松茹;史碧波 申请(专利权)人: 华南师范大学
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 宣国华;刘艳丽
地址: 510006 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种金属网络透明导电电极的全液相制备方法,包括以下步骤:(1)制作疏水材料阻隔层;(2)制作龟裂模板;(3)等离子清洗处理;(4)去除龟裂模板;(5)沉积金属;(6)去除剩余疏水材料阻隔层;(7)转移金属透明导电电极。该方法制备的金属网络电极具备优良的透光性和较低的表面电阻、以及机械柔性;该制备方法为全液相湿法技术,完全脱离真空和高温设备和工艺,显著降低制备成本,且适合湿法卷对卷大面积、大规模生产工艺。
搜索关键词: 一种 金属 网络 透明 导电 电极 全液相 制备 方法
【主权项】:
1.一种金属网络透明导电电极的全液相制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)制作疏水材料阻隔层:选取疏水材料制成疏水溶液,将疏水溶液均匀沉积在硅衬底上制得疏水薄膜,控制温度条件,使疏水薄膜固化,制得疏水材料阻隔层;(2)制作龟裂模板:选取牺牲层材料调制成溶胶状态的龟裂液,将龟裂液均匀沉积在疏水材料阻隔层表面制得龟裂薄膜,控制温度条件,使龟裂薄膜自然龟裂形成龟裂模板;(3)等离子清洗处理:采用等离子清洗龟裂模板的表面,去除龟裂模板裂缝处的疏水材料阻隔层,制得疏水层模板;(4)去除龟裂模板:将硅衬底上的疏水层模板中的龟裂模板去除;(5)沉积金属:采用液相法在硅衬底上沉积金属薄膜;(6)去除剩余疏水材料阻隔层:采用等离子清洗法将硅衬底上剩余的疏水材料阻隔层去除,在硅衬底上形成多孔金属薄膜透明导电电极;(7)转移金属透明导电电极:将硅衬底上的透明导电电极用胶水转移到透明衬底上,在透明衬底上制得金属网络透明导电电极;步骤(1)中所述疏水溶液为氟树脂CYTOP稀释液、聚二甲基硅氧烷PDMS溶液、聚四氟乙烯溶液或疏水性光刻胶溶液;步骤(5)中采用液相法在硅衬底上沉积金属薄膜的过程是:将硅衬底置于银电极生长液中常温反应1~10s,制得金属薄膜,所述金属薄膜的厚度为600~4000nm,其中银电极生长液采用以下方式配制获得:取硝酸银溶于氢氟酸和去离子水中超声混匀,即得银电极生长液,其中硝酸银与氢氟酸和去离子水的用量关系为5~15g:2~8mL:50~100mL。
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