[发明专利]红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺在审
| 申请号： | 201610718099.8 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106207744A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王昱玺;刘拓 | 申请（专利权）人： | 陜西源杰半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/30;C23C28/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 712000 陕西省咸阳市西咸新区沣西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明的红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，利用化学特性稳定的Ta2O5和SiO2实现半导体激光器抗反射膜层的镀膜，实现极佳的抗反射薄膜特性，因本发明所选镀膜材料在镀膜过程中均具有稳定的化学性能，保证了镀膜的镀率稳定以及光折射率稳定，使镀膜结果与理论设计一致，进而提升产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 半导体激光器 芯片 新型 反射 及其 镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜，其特征在于，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层。
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