[发明专利]半导体端泵浦腔内倍频高功率紫外激光器

摘要

一种半导体端泵浦腔内倍频高功率紫外激光器，包括泵浦源、四个分为两组双端设置的准直聚焦系统、两组半导体泵浦耦合系统、谐振腔，所述的谐振腔内设有两块激光晶体、声光调Q、倍频晶体和合频晶体，泵浦源产生泵浦光，设置在泵浦源输出端并由第一平凸准直透镜、第二平凸准直透镜组成准直聚焦系统对泵浦光准直聚焦，并由两组半导体泵浦耦合系统分别将经准直聚焦系统准直聚焦后的泵浦光耦合到谐振腔的两块激光晶体。由于采用两组双端半导体耦合系统泵浦激光晶体方式，利用腔内倍频、合频技术，实现1064nm基频光到532nm倍频光转换，再通过基频光和倍频光合频得到355nm紫外激光。

主权项

一种半导体端泵浦腔内倍频高功率紫外激光器，其特征在于：包括泵浦源、四个分为两组双端设置的准直聚焦系统、两组半导体泵浦耦合系统、谐振腔，所述的谐振腔内设有两块激光晶体、声光调Q、倍频晶体和合频晶体，泵浦源产生泵浦光，设置在泵浦源输出端并由第一平凸准直透镜、第二平凸准直透镜组成准直聚焦系统对泵浦光准直聚焦，并由两组半导体泵浦耦合系统分别将经准直聚焦系统准直聚焦后的泵浦光耦合到谐振腔的两块激光晶体，所述的谐振腔内两块带焦距的热效应补偿凹凸镜补偿激光晶体热效应，声光调Q调制1064nm基频光增强基频光功率密度，腔内振荡的1064nm基频光通过倍频晶体产生532nm倍频光，1064nm基频光和产生的532nm倍频光通过合频晶体合频产生355nm激光器，355nm激光通过布儒斯特角切割合频晶体方式分离谐振腔输出。