[发明专利]金属化陶瓷基板的制造方法及其制造的金属化陶瓷基板在审
| 申请号： | 201610718823.7 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106169426A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 钱建波;孙林;袁超;于岩;王顾峰;聂朝轩;王太保;黄世东;胡士刚 | 申请（专利权）人： | 浙江德汇电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴啸寰 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 金属化陶瓷基板的制造方法及其制造的金属化陶瓷基板，属于陶瓷金属化技术领域。包括如下步骤：在陶瓷基板的表面形成钛层。在钛层的远离陶瓷基板的表面形成有机层。在有机层的远离钛层的表面形成铜浆层以形成金属化陶瓷基板前体。真空烧结金属化陶瓷基板前体。此制造方法制得的金属化陶瓷基板在真空烧结的时候，钛层与陶瓷发生反应，结合力高，有机层将钛层与铜浆层隔开，阻挡钛层迁移到金属层，并且在真空烧结的过程中发生分解，制得的陶瓷基板的导电率高，镀覆附着性好，耐热循环性高。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 陶瓷 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种金属化陶瓷基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在陶瓷基板的表面形成钛层；在所述钛层的远离所述陶瓷基板的表面形成有机层；在所述有机层的远离所述钛层的表面形成铜浆层，以形成金属化陶瓷基板前体；真空烧结所述金属化陶瓷基板前体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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