[发明专利]接触孔形成方法有效
| 申请号： | 201610719050.4 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486348B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | J·K·朴;P·D·胡斯泰特 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。还提供了图案处理组合物和通过所述方法形成的电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔形成方法，其包含：(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔；其中所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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