[发明专利]一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置在审
申请号: | 201610719680.1 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN106086821A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 梁磊 | 申请(专利权)人: | 佛山市思博睿科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种膜层纯度高,可精确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波,在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头,采用本技术方案后,与现有技术相比,本低压等离子体化学气相沉积制得纳米薄膜的装置具有以下优点:1)膜层纯度高,不含多余无用的反应物(即污染物),膜层粘附性得到提高;2)膜层厚度控制精确。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 纯度 等离子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波,其特征在于:在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的