[发明专利]一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置在审

专利信息
申请号: 201610719680.1 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106086821A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 梁磊 申请(专利权)人: 佛山市思博睿科技有限公司
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种膜层纯度高,可精确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波,在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头,采用本技术方案后,与现有技术相比,本低压等离子体化学气相沉积制得纳米薄膜的装置具有以下优点:1)膜层纯度高,不含多余无用的反应物(即污染物),膜层粘附性得到提高;2)膜层厚度控制精确。
搜索关键词: 一种 提高 纯度 等离子 沉积 装置
【主权项】:
一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波,其特征在于:在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头。
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