[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法用于制作快闪存储器，其包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱区，并在所述半导体衬底上形成图形化的栅极叠层和有源区硬掩膜层；对有源区的角落区域进行补偿离子注入，所述补偿离子与所述阱区的掺杂离子相同；以所述有源区硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，以形成用于形成隔离结构的沟槽；填充所述沟槽形成隔离结构。该制作方法通过对有源区角落区域，也即隔离结构角落区域进行补偿离子注入，以补偿诸如硼离子的阱区掺杂离子偏聚，从而解决由此导致的双驼峰和漏电问题。该半导体器件和电子装置克服了双驼峰和漏电问题。

主权项

一种半导体器件的制作方法，用于制作快闪存储器，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成阱区，并在所述半导体衬底上形成图形化的栅极叠层和有源区硬掩膜层；对有源区的角落区域进行补偿离子注入，所述补偿离子与所述阱区的掺杂离子相同；以所述有源区硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，以形成用于形成隔离结构的沟槽；填充所述沟槽形成隔离结构。