[发明专利]一种二碲化钼电化学储能材料、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种二碲化钼电化学储能材料，所述材料为亚稳态的二碲化钼，其表达式为1T’‑MoTe₂，形貌为超薄纳米片组装的纳米花结构或纳米球结构。本发明还提供了该材料的制备方法和应用，采用油胺为还原剂，六羰基钼或五氯化钼为钼的前驱物，一定温度下注入碲‑三辛基膦前驱体，通过调控反应温度和反应时间，从而制备出尺寸均一、形状规整的亚稳态六方相二碲化钼纳米花结构或纳米球状结构。该类材料表现出优异的超级电容器储能性能，适用于新能源开发领域。

主权项

1.一种二碲化钼电化学储能材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）利用加热溶解的方法制备Te‑TOP前驱体；（2）通过低温注入前驱体于Mo‑油胺混合液的方法制备1T’‑MoTe2；具体制备步骤如下：（1）0.5‑1.5 mol/L Te‑TOP前驱体的制备：将单质碲加入到装有三辛基膦的圆底烧瓶中，在100‑120 ℃下搅拌溶解5‑10 h，制备浓度为0.5‑1.5 mol/L的Te‑TOP 前驱体；（2）在三口圆底烧瓶中加入0.1‑0.5 mmol钼的前驱物和10‑20 mL油胺，搅拌状态下升温至80‑120 ℃，真空除气30 min以上，氩气气氛下注入步骤（1）制得的Te‑TOP前驱体，使反应体系中Te与Mo的原子比大于等于2，随后，在氩气保护下升温至300‑320℃，反应1.5‑3 h，反应结束后冷却至室温，加入甲苯和无水乙醇的混合溶剂洗涤三次，最后分散于乙醇中，即得到超薄纳米片组装的二碲化钼纳米花结构或纳米球结构；所述步骤（2）中的钼的前驱物为六羰基钼或五氯化钼中的一种。