[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610720187.1 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486380B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 林夏珍;朴起宽;李相烨;李钟汉;任廷爀;洪慧理 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：/n形成从衬底突出的鳍型有源区；/n在所述鳍型有源区的顶表面和两个侧壁上形成栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包含高k电介质膜，所述高k电介质膜相比硅氧化物膜和硅氮化物膜具有更高的相对介电常数；/n在所述栅绝缘膜上形成含金属层；/n在所述含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；/n从所述硅覆盖层去除所述硅覆盖层中的所述氢原子的一部分；/n去除所述硅覆盖层和至少一部分所述含金属层；以及/n在所述栅绝缘膜上形成栅电极，所述栅电极在所述鳍型有源区的所述顶表面和所述两个侧壁上延伸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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