[发明专利]一种包含铝的膜层图案、其制作方法及其后处理方法在审
| 申请号： | 201610720311.4 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106206290A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 霍晓迪;吴国特;李淳东;李知勋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 朱琳爱义 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种包含铝的膜层图案、其制作方法及其后处理方法，以覆盖在包含铝的待图案化膜层上的图案化光刻胶层为掩模，对待图案化膜层采用包含氯气的气体进行干刻工艺形成图案化膜层；之后，对形成的包含铝的图案化膜层同时进行脱氯处理和卸载承载基板。由于同时进行脱氯处理和卸载基板处理，省去了中间设备等待时间，缩短了整体的后处理工艺的处理时长，能够提高产能。并且，也能减少脱氯处理和卸载基板处理时气体的使用量，节约成本。此外，由于减少了后处理工艺中气体的使用量，可以降低对于图案化光刻胶层的损伤，减少设备腔体内附着物产生的悬浮粒子，降低后续基板干刻工艺时产生残留物不良的几率，也会延长设备日常维护的周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 图案 制作方法 其后 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种包含铝的膜层图案干刻工艺的后处理方法，其特征在于，包括：对包含铝的图案化膜层同时进行脱氯处理和卸载承载基板，所述图案化膜层是采用包含氯气的气体进行干刻工艺形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610720311.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOS晶体管的形成方法
- 下一篇：一种改善多晶硅表面粗糙度的工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
