[发明专利]一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610723043.1 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106449914B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 展望;马后永;琚晶;游正璋;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫;周荣芳 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，通过在多量子阱发光层交替生长AlN材料和GaN材料而得到准AlGaN合金势垒层，超晶格准AlGaN合金势垒层与GaN层之间形成电学性能良好的二维电子气结构，形成更高的电子浓度和更高的电子迁移率，并且能有效增强电子的横向扩展能力，降低器件本身的压电场效应，有效降低正向电压，提高了载流子的注入效率，进而提高GaN基发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包含：设置在衬底(1)上的成核层(2)；设置在成核层(2)上的未掺杂GaN层(3)；设置在未掺杂GaN层(3)上的N型GaN层(4)；设置在N型GaN层(4)上的多量子阱发光层(5)；以及，设置在多量子阱发光层(5)上的P型GaN层(6)；所述的多量子阱发光层(5)包含：多个叠加的势垒势阱周期对，该势垒势阱周期对包含InGaN势阱层(501)和设置在InGaN势阱层(501)上的准AlGaN合金势垒层(502)，最底层的势垒势阱周期对设置在N型GaN层(4)上，最顶层的势垒势阱周期对上设置P型GaN层(6)，该势垒势阱周期对的数量n满足2≤n≤30；所述的准AlGaN合金势垒层(502)包含：多个叠加的循环层，该循环层包含未掺杂AlN层(5021)和设置在未掺杂AlN层(5021)上的未掺杂GaN层(5022)，最底层的循环层设置在InGaN势阱层(501)上，最顶层的循环层上设置P型GaN层(6)，该循环层的数量m满足1≤m≤20；所述的InGaN势阱层(501)的厚度为0.5nm～5nm，InGaN势阱层(501)中In组分为15～20％，所述的准AlGaN合金势垒层(502)的总厚度为1‑30nm，未掺杂AlN层(5021)与未掺杂GaN层(5022)的厚度比为0.2‑5，未掺杂AlN层(5021)中Al组分为10％‑50％。
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