[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构有效
| 申请号： | 201610723919.2 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106252203B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 叶家宏 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供两种金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构，第一种结晶方法是在压力为约550mtorr至约5000mtorr，温度为约200℃至约750℃下，以氧气处理包含铟的非结晶金属氧化物半导体层。第二种结晶方法是先依序形成第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层于基板上，在温度为约350℃至约650℃下，以惰性气体处理第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层。本发明的金属氧化物半导体层的结晶方法制备的半导体结构能够有效抵御蚀刻剂侵蚀，能够广泛用于制备薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 结晶 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体层的结晶方法，其特征在于，该方法包含：形成一非结晶金属氧化物半导体层于一基板上，该非结晶金属氧化物半导体层包含铟；以及在压力为550mtorr至5000mtorr，温度为200℃至750℃下，以氧气处理该非结晶金属氧化物半导体层，通过调整以氧气处理非结晶金属氧化物半导体层的时间使该非结晶金属氧化物半导体层的一部分转变为一氧化铟结晶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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