[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P⁺接触区以及隔离介质，隔离介质包括相互分离的子介质；各子介质从P‑well区的外侧向N型漂移区的外侧延伸，环形漏极N⁺接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为L_P，本发明改善了直线结终端结构与曲率结终端结构相连部分电荷不平衡与电场曲率效应的问题，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N+接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P+接触区以及隔离介质，隔离介质包括相互分离的子介质；各子介质从P‑well区的外侧向N型漂移区的外侧延伸，P‑well区表面上方是栅氧化层，栅氧化层的表面上方是栅极多晶硅；曲率结终端结构中的漏极N+接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层分别与直线结终端结构中的漏极N+接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构；其中，环形漏极N+接触区包围环形N型漂移区，环形N型漂移区包围环形隔离介质，环形隔离介质隔离P‑well区，P‑well区上方有环形栅极多晶硅和环形栅氧化层，环形隔离介质处于P‑well区和N型漂移区之间，P‑well区与N型漂移区不相连且相互的间距为LP，环形隔离介质在Z方向的深度为VP，相邻子介质之间的距离为L，子介质的个数大于等于2，环形隔离介质在Z方向的深度VP大于N型漂移区的结深。