[发明专利]用于对蚀刻工艺进行先进的离子控制的方法和系统有效
| 申请号： | 201610726386.3 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653532B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 谭忠奎;傅乾;吴英;许晴;约翰·德鲁厄里 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于对蚀刻工艺进行先进的离子控制的方法和系统。将衬底设置在处理模块内的衬底支架上。所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露。产生暴露于所述衬底的等离子体。在第一持续时间在对应于高偏置电压电平的第一偏置电压设置下在所述衬底支架施加偏置电压。在所述第一持续时间结束后的第二持续时间在对应于低偏置电压电平的第二偏置电压设置下在所述衬底支架施加偏置电压。所述第二偏置电压设置大于0V。以交替和连续的方式重复第一持续时间和第二持续时间持续去除暴露在所述衬底上的所要求量的所述靶材料所必需的总的时间段。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 工艺 进行 先进 离子 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体器件的制造中对靶材料进行等离子体蚀刻的方法，该方法包括：(a)将衬底设置在处理模块内的衬底支架上，其中，所述衬底包括覆盖靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一个部分通过所述掩模材料中的开口暴露；(b)产生暴露于所述衬底的等离子体；(c)在第一持续时间在对应于高偏置电压电平的第一偏置电压设置下在所述衬底支架处施加偏置电压并且提供较低的初级线圈功率以产生暴露于所述衬底的所述等离子体；(d)在所述第一持续时间结束后的第二持续时间在对应于低偏置电压电平的第二偏置电压设置下在所述衬底支架处施加偏置电压并且提供较高的初级线圈功率，以产生暴露于所述衬底的所述等离子体，其中所述第二偏置电压设置大于0V，并且其中所述第二偏置电压设置为足够低，以避免离子诱导去除所述掩模材料；以及(e)以交替和连续的方式重复操作(c)和(d)持续去除暴露在所述衬底上的所要求量的所述靶材料所必需的总的时间段，使得当所述偏置电压从所述低偏置电压电平转变到所述高偏置电压电平时，所述较高的初级线圈功率也转变到所述较低的初级线圈功率。
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