[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610726754.4 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785419B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一区域上形成第一隔离层；在所述半导体衬底的第二区域上形成第二隔离层，所述第二隔离层的密度低于所述第一隔离层的密度；刻蚀所述第一隔离层及所述第二隔离层，形成定义鳍片的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；填充所述第一沟槽和第二沟槽，以形成第一鳍片和第二鳍片。根据本发明提出的鳍式场效应晶体管的制造方法，能够得到不同宽度与有效高度的鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一区域上形成第一隔离层；在所述半导体衬底的第二区域上形成第二隔离层，所述第二隔离层的密度低于所述第一隔离层的密度；刻蚀所述第一隔离层及所述第二隔离层，形成定义鳍片的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；填充所述第一沟槽和第二沟槽，以形成第一鳍片和第二鳍片。
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