[发明专利]一种半导体单晶硅晶棒及硅片参考面的加工方法

摘要

本发明公开了一种半导体单晶硅晶棒及硅片参考面的加工方法，首先在晶棒上截取样片，将样片进行表面化学各项异性腐蚀、清洗后烘干；观察表面腐蚀形状；根据不同晶向的形状和方位在样片上标记出主参考面的指示线；将带有定位线和主参考面指示线的样片与原有晶棒进行位置比对，标记出晶棒上主参考面的指示线；利用晶向测试仪，在单晶硅晶棒指示线附近查找主参考面<110>晶向峰值，准确确定位置并做好标记并进行参考面加工。硅片直接在表面进行化学各项异性腐蚀及后续的处理即可。本发明充分利用晶体各向异性在化学腐蚀中的反应速率差异形成腐蚀形状来判定单晶硅及硅片主参考面位置，具有判断准确，操作简单，且易于产业化实现。

主权项

1.一种半导体单晶硅晶棒参考面的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在未标记生长棱线的滚磨好的单晶硅晶棒端面任意位置进行划线定位；然后在晶棒侧面做标记，并垂直于端面定位线；通过多线切割或内圆切割或带锯方式在做标记的端面进行样片截取；步骤2，将步骤1截取的样片进行表面化学各项异性腐蚀，然后用纯水清洗多次后烘干；步骤3，将样片放置在光学显微镜下观察表面腐蚀形状；根据不同晶向的形状和方位在样片上标记出主参考面的指示线；将带有定位线和主参考面指示线的样片与原有晶棒进行位置比对，标记出单晶硅晶棒上主参考面的指示线；步骤4，利用晶向测试仪，在单晶硅晶棒指示线附近查找主参考面<110>晶向峰值，准确确定位置并做好标记；步骤5，在主参考面<110>晶向准确位置上进行参考面加工；步骤2中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为NaOH或KOH溶液，浓度为2～40％，反应温度为60～90℃；或者，步骤2中表面化学各项异性腐蚀采用的化学反应药液为铬酸混合液，铬酸混合液由氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水混合而成，其中氧化铬、浓度为49％的HF溶液和水的质量比为1～0.5:1～0.5:3，反应温度为20‑30℃。