[发明专利]用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法有效
| 申请号： | 201610727174.7 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106480492B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 守山实希 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/40 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，其被设计成生长具有高度再现性的半导体单晶。用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法包括向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶。在第III族氮化物半导体单晶的生长中，使用测量装置探测Ga与Na的反应。在坩埚的温度调整在80℃至200℃的第一温度范围内的情况下，Ga与Na反应。在测量装置探测到Ga与Na反应之后，将坩埚的温度升高至第III族氮化物半导体单晶的生长温度。 | ||
| 搜索关键词： | 第III族氮化物半导体 单晶 坩埚 生长 探测 半导体单晶 测量装置 使用测量 温度调整 再现性 基底 籽晶 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产第III族氮化物半导体单晶的方法，所述方法包括：/n向坩埚中添加籽晶基底、Ga和Na，以及生长第III族氮化物半导体单晶，/n其中，在预定生长温度下在所述第III族氮化物半导体单晶的生长中，/n在将所述坩埚的温度调节为低于500℃的第一温度范围内的情况下，使Ga与Na反应；以及/n在Ga与Na的反应之后，将所述坩埚的温度升高至所述第III族氮化物半导体单晶的生长温度，以及/n其中所述Ga与Na的反应通过用于探测所述Ga与Na的反应的测量装置来探测。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田合成株式会社，未经丰田合成株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610727174.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：弩组件
- 下一篇：后备箱内置式多功能车衣装置
