[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层和连接电极的步骤，其中：通过一次构图工艺形成包括所述栅极、所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅绝缘层的图形，通过一次构图工艺形成包括所述钝化层及其过孔的图形，并通过一次构图工艺形成包括所述连接电极的图形，使所述源极和所述漏极与所述有源层连接。该薄膜晶体管结构简单，相应的薄膜晶体管的制备方法能够有效减少掩模板数量，提高产能，节省成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层和连接电极的步骤，其中：通过一次构图工艺形成包括所述栅极、所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅绝缘层的图形，通过一次构图工艺形成包括所述钝化层及其过孔的图形，并通过一次构图工艺形成包括所述连接电极的图形，使所述源极和所述漏极与所述有源层连接，通过一次构图工艺形成包括所述栅极、所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅绝缘层的图形包括步骤：依次形成第一导电膜层、栅绝缘膜层和有源膜层；通过一次曝光工艺和刻蚀工艺，形成包括所述栅极、所述源极和所述漏极的图形；通过灰化工艺和刻蚀工艺，形成包括所述栅绝缘层和所述有源层的图形，使所述源极上方的所述栅绝缘层和所述有源层的正投影面积小于所述源极的正投影面积，以及使所述漏极上方的所述栅绝缘层和所述有源层的正投影面积小于所述漏极的正投影面积；其中：所述曝光工艺为双缝衍射工艺或半色调掩模板工艺；半色调掩模板工艺中，所述栅绝缘层和所述有源层对应的区域为光刻胶完全保留区域，所述源极的正投影面积大于所述栅绝缘层和所述有源层的正投影面积部分的区域为光刻胶半保留区域，以及所述漏极正投影面积大于所述栅绝缘层和所述有源层的正投影面积部分的区域为光刻胶半保留区域，其他区域为光刻胶去除区域。