[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P⁺接触区；曲率结终端结构中的N⁺接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N⁺接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域2₁、2₂....2_N；漏极N⁺接触区包围子区域2₁、2₂….2_N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极P⁺接触区(8)；P‑well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的N⁺接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、分别与直线结终端结构中的N⁺接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)相连并形成环形结构，N型漂移区(2)分成沿直线结终端到曲率结终端方向底部的直线段和顶部的半圆段，N型漂移区(2)的内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域(2₁、2₂....2_N)；每个子区域位于外边界的一端大于位于内边界的一端，子区域位于外边界的一端的长度分别为L_1,1、L_1,2....L_1,N，N型漂移区(2)的外边界长度为L_out；相邻子区域位于外边界的一端之间的距离分别为d_1,1、d_1,2....d_1,N‑1，其中L_1,1、L_1,2....L_1,N以及d_1,1、d_1,2....d_1,N‑1的取值均在0到L_out之间，且子区域位于内边界的一端的长度分别为L_0,1、L_0,2....L_0,N；相邻子区域位于内边界的一端之间的距离分别为d_0,1、d_0,2....d_0,N‑1，N型漂移区的内边界长度为L_in，其中L_0,1、L_0,2....L_0,N以及d_0,1、d_0,2....d_0,N‑1的取值均在0到Lin之间，且漏极N⁺接触区(1)包围子区域(2₁、2₂....2_N)，子区域(2₁、2₂....2_N)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)，P‑well区(6)与子区域(2₁、2₂....2_N)不相连且P‑well区(6)与第一子区域(2₁)的内边界的距离为L_P。