[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610728449.9 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106505097B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄钲谦;刘继文;曾鸿辉;江宗育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/40;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：FinFET组件；多个图案化的伪半导体鳍，布置在所述FinFET组件的多个鳍旁；隔离结构，形成在所述图案化的伪半导体鳍上；以及调整组件，形成在所述图案化的伪半导体鳍上，并且电连接至所述FinFET组件。所述图案化的伪半导体鳍的高度比所述FinFET组件的鳍的高度短。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n鳍式场效应晶体管组件；/n多个图案化的伪半导体鳍，布置在所述鳍式场效应晶体管组件的多个鳍旁，其中，所述图案化的伪半导体鳍的高度比所述鳍式场效应晶体管组件的鳍的高度短，其中，在中心部分的所述图案化的伪半导体鳍比在边缘部分的所述图案化的伪半导体鳍短；/n隔离结构，形成在所述图案化的伪半导体鳍上；以及/n调整组件，形成在所述图案化的伪半导体鳍上，并且电连接至所述鳍式场效应晶体管组件；/n其中，所述鳍式场效应晶体管组件包括栅叠件，所述栅叠件横跨所述鳍。/n
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