[发明专利]一种选区自蔓延合成二硅化钼粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201610729103.0 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN106241814B 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: 武洲;曹维成;王娜 申请(专利权)人: 金堆城钼业股份有限公司
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 杨璐
地址: 710077 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种选区自蔓延合成二硅化钼粉体的方法,具体按照以下步骤实施:分别称取钼粉、硅粉及PVA粉;将称取的PVA粉添加到去离子水中形成PVA溶胶;将称取的钼粉和硅粉添加到PVA溶胶中,形成钼硅粉PVA料浆;利用旋转雾化干燥设备对得到的钼硅粉PVA料浆进行旋转喷雾干燥造粒处理,得到硅粉‑钼粉混合颗粒;对得到的硅粉‑钼粉混合颗粒进行脱胶处理;对脱胶后的颗粒物进行选区自蔓延合成,得到二硅化钼;对得到二硅化钼依次进行破碎、球磨、筛分处理得到二硅化钼粉体。本发明的方法能制备出单相高纯二硅化钼粉体,具有合成率高、球磨处理时间短、效率高及品质高的特点。
搜索关键词: 一种 选区 蔓延 合成 二硅化钼粉体 方法
【主权项】:
1.一种选区自蔓延合成二硅化钼粉体的方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、分别称取钼粉、硅粉及PVA粉;将称取的PVA粉添加到去离子水中形成PVA溶胶;将称取的钼粉和硅粉添加到PVA溶胶中,形成钼硅粉PVA料浆;具体按照以下步骤实施:步骤1.1、按照质量比为1.71:1分别称取钼粉和硅粉,要保证钼硅的原子比为1:2;步骤1.2、称取PVA粉,PVA粉的质量为步骤1.1中称取的钼粉和硅粉总量的1.5%~3.0%;步骤1.3、量取去离子水,量取标准为:每kg的PVA粉要量取18L~22L的去离子水;按照该标准,将步骤1.2中称取的PVA粉添加到去离子水中,搅拌均匀后形成PVA溶胶;步骤1.4、待步骤1.3得到的PVA溶胶变澄清后,将步骤1.1中称取的钼粉和硅粉一起添加到PVA溶胶中,搅拌4h~6h后,得到钼硅粉PVA料浆;步骤2、利用旋转雾化干燥设备对经步骤1得到的钼硅粉PVA料浆进行旋转喷雾干燥造粒处理,得到大量的硅粉‑钼粉混合颗粒,且硅粉‑钼粉混合颗粒呈球形,其平均粒径为十几微米;步骤3、对经步骤2得到的硅粉‑钼粉混合颗粒进行脱胶处理;步骤4、经步骤3后,对脱胶后的得到物质进行选区自蔓延合成,得到二硅化钼;步骤5、对经步骤4得到二硅化钼依次进行破碎、球磨及筛分处理,得到二硅化钼粉体。
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