[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P⁺接触区；P型区内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的三角形子区域6₁、6₂….6_N；曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区相连并形成环形结构，本发明通过对曲率终端结构中的P型区采用多窗口注入进而对N型漂移区浓度进行杂质补偿，从而降低N型漂移区的浓度，使得N型漂移区被低浓度的P型衬底完全耗尽，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)、N型漂移区(2)内部的P型区、源极P⁺接触区(8)，N型漂移区(2)和P型区包括底部的方型区域和顶部的半圆区域，P型区内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的三角形子区域(6₁、6₂……6_N)；相邻三角形子区域之间填充N型漂移区(2)，每个三角形子区域有两个顶点落在N型漂移区(2)靠近P形衬底(3)的内边界上，一个顶点位于N型漂移区(2)的外边界上，每个三角形子区域位于N型漂移区内边界的底边的长度分别为d_0,1、d_0,2……d_0,N‑1、d_0,N，相邻两个三角形子区域位于N型漂移区外边界上的顶点之间的距离分别为L_1,1、L_1,2……L_1,N‑1、L_1,N、L_1,N+1，相邻两个三角形子区域位于N型漂移区内边界上的底边之间的距离分别为L_0,1、L_0,2……L_0,N‑1、L_0,N、L_0,N+1；每个三角形子区域相交于N型漂移区(2)外边界的顶点的两条边之间的夹角分别为α₁、α₂……α_N‑1、α_N，Pwell区(6)上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)相连并形成环形结构；其中，曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)包围N型漂移区(2)，N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)、环形栅氧化层(5)和Pwell区(6)，L_d为器件的漂移区长度。