[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610729736.1 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN107689394B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 曾奕铭;梁文安;黄振铭 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包含鳍状结构，位于基底上。隔离结构，位于该鳍状结构中。该隔离结构包含沟槽，以及第一介电层，位于该沟槽中。该第一介电层包含底部的主体部、顶部的凸出部，具有一顶面，以及连接该主体部以及该凸出部的肩部，其中，该凸出部的宽度小于该主体部的宽度。第二介电层，覆盖该沟槽的顶角，并且被夹在该凸出部、该肩部以及该沟槽的上侧壁之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含:鳍状结构，位于一基底上；隔离结构，位于该鳍状结构中，该隔离结构包含:沟槽；第一介电层，位于该沟槽中，包含底部的主体部、顶部的凸出部，具有顶面，以及连接该主体部及该凸出部的肩部，其中该凸出部的宽度小于该主体部的宽度；以及第二介电层，覆盖该沟槽的顶角，并且被夹在该凸出部、该肩部以及该沟槽的一上侧壁之间。
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