[发明专利]一种片式PTCR及其制备方法

摘要

本发明提供了一种片式PTCR及其制备方法。本发明方法中，通过采用流延方式成型，并对陶瓷表面减薄抛光处理并采用薄膜溅射的方法形成电极，从而能够在升阻比和阻值不变的情况下，提高所制得PTCR的阻值精度，降低产品的尺寸；从而解决了现有技术圆片式PTCR产品尺寸过大、阻值精度低等技术问题。同时，本发明片式PTCR具有尺寸小、精度高等优点。

主权项

1.一种片式PTCR的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)按照质量百分数，碳酸钡67～71％，二氧化钛28～33％，三氧化二钇0.1～0.8％，二氧化硅0.2～1％，称取原料；然后将原料混合后球磨；(2)将球磨后所得混合物烘干后过筛，然后进行烧制，并得到钇掺杂钛酸钡粉体；(3)向钇掺杂钛酸钡粉体中加入硝酸锰溶液，进行二次球磨，并加入有机溶剂和粘合剂，混合后得到流延料；将流延料经流延成型制得PTC生瓷带，然后经叠层、等静压以及切割，得到方形PTC巴块；将方形PTC巴块烧结，并得到PTC陶瓷；将所得到的PTC陶瓷进行减薄和抛光，然后进行清洗，并得到PTC陶瓷基板；其中，硝酸锰溶液的质量分数为30～50％；硝酸锰溶液与钇掺杂钛酸钡粉体的质量克数比例为3：(1000～10000)；(4)在所得PTC陶瓷基板上溅射Ni和Au，然后再电镀Au加厚电极，并进行切割，即得到片式PTCR。