[发明专利]一种全背接触光伏电池的金属化方法及电池、组件和系统在审
申请号: | 201610736884.6 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106252425A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 林建伟;季根华;刘志锋;孙玉海;刘勇;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种全背接触光伏电池的金属化方法及电池、组件和系统。本发明的全背接触光伏电池的金属化方法,包括在N型晶体硅基体上制作全背接触结构、在背表面钝化膜上选择性开孔、背表面沉积铝、背表面印刷选择性掩膜、刻蚀未被掩膜覆盖处的铝、去除掩膜形成互相绝缘的p+铝电极和n+铝电极。其有益效果是:在金属化过程中,用点状接触取代线条状接触,减少了金属电极与掺杂硅界面处的高复合;使用低温工艺形成铝电极,不会给掺杂硅表面带来破坏;铝与掺杂硅之间有优异的金属半导体接触;由此所制电池具有更高的开路电压、填充因子和转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 接触 电池 金属化 方法 组件 系统 | ||
【主权项】:
一种全背接触光伏电池的金属化方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理,在N型晶体硅基体的前表面形成n+掺杂前表面场,在N型晶体硅基体的背表面形成相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域;并在N型晶体硅基体的前表面形成前表面钝化减反膜,在N型晶体硅基体的背表面形成背表面钝化膜;(2)、在背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域上方开设贯穿背表面钝化膜的n+孔状阵列和p+孔状阵列;(3)、在步骤(2)处理后的N型晶体硅基体的背表面沉积铝层;(4)、在n+孔状阵列区域和p+孔状阵列区域印刷耐酸掩膜,将N型晶体硅基体放入酸性刻蚀液中,去除未被耐酸掩膜覆盖区域的铝层,形成相互电绝缘的p+铝电极和n+铝电极;(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体放入碱性溶液中,去除耐酸掩膜,得到全背接触光伏电池。
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