[发明专利]一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法

摘要

本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影后得到所需纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后沉积铝金属薄膜，之后去胶剥离出铝金属掩蔽图形，再使铝金属掩蔽层氧化后转化为氧化铝掩蔽层，然后用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物薄膜层形成庞磁阻锰氧化物图形，最后去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。本发明解决了电子束胶在离子束刻蚀时与庞磁阻锰氧化物层刻蚀速率比差的问题，降低电子束胶的厚度需求，提高电子束直写光刻的分辨率；本发明也解决了有些电子束胶在刻蚀后难以去除的问题。

主权项

1.一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法，其特征在于，具体步骤为：（1）在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶，并烘烤；（2）使用电子束直写光刻技术曝光所需的纳米尺度图形版图；（3）显影定影，得到所需图形的胶掩蔽图形；（4）在胶掩蔽图形上沉积铝金属薄膜；（5）去胶剥离出铝金属掩蔽图形；（6）使铝金属掩蔽图形氧化后转化为氧化铝掩蔽层；（7）用离子束刻蚀庞磁阻锰氧化物层形成庞磁阻锰氧化物图形；（8）去掉氧化铝掩蔽层并清洗衬底。