[发明专利]一种极紫外掩模的制造方法

摘要

本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形，然后刻蚀铬金属膜吸收层，之后去除光刻胶并清洗基板，再旋涂电子束光刻胶，利用对准标记进行精确定位的电子束直写得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形，然后用反应离子各向异性刻蚀吸收体材料铬，之后去除电子束光刻胶，最后清洗并检测掩模板。本方法能制造出同时拥有高分辨率的纳米尺度图形和低分辨率的大面积微米尺度图形的极紫外掩模，弥补了单纯依靠激光直写低分辨率的缺点，解决了单纯依靠电子束直写低效率的问题。

主权项

1.一种极紫外掩模的制造方法，其特征在于，具体步骤为：（1）将极紫外掩模的总版图拆分成微米以上尺度的图形版图和微米以下尺度的图形版图，并且添加电子束光刻对准标记版图；（2）在已经做好钼硅多层膜反射层、二氧化硅膜缓冲层和铬金属膜吸收层的石英基板衬底上旋涂光刻胶；（3）在光刻胶上用激光直写工艺制作大面积微米尺度图形版图和电子束光刻对准标记图形版图；（4）显影定影后得到微米尺度的胶掩蔽图形和对准标记胶掩蔽图形；（5）用已经图形化的光刻胶作为掩蔽层来刻蚀铬金属膜吸收层得到微米尺度的铬金属图形和铬金属对准标记图形；（6）去除光刻胶并清洗基板；（7）旋涂电子束光刻胶并烘烤；（8）利用前面做好的对准标记进行精确定位的电子束直写曝光纳米尺度图形；（9）显影定影后得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形；（10）用已经图形化的电子束光刻胶作为掩蔽层反应离子各向异性刻蚀吸收体材料铬；（11）去除电子束光刻胶；（12）清洗并检测掩模板；步骤（1）中所述的对准标记为十字形，线宽为1微米～10微米；步骤（2）中所述的石英基板衬底上的钼硅多层膜反射层、二氧化硅膜缓冲层和铬金属膜吸收层，是用磁控溅射制作的，铬金属膜吸收层在50纳米至90纳米之间；步骤（3）中所述的光刻胶是AZ1500；步骤（7）中所述的旋涂电子束光刻胶是ZEP520A电子束光刻胶;步骤（9）中所述的电子束光刻后显影定影后得到纳米尺度图形的胶掩蔽图形，图形尺寸在10纳米至1000纳米之间。