[发明专利]一种霍尔集成器件及其制备方法

摘要

本发明属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元件上方，不但集成度高，而且避免了衬底种类对信号放大元件的影响，可适用霍尔元件种类范围广，有效降低了制造成本。所述的一种霍尔集成器件的制备方法，工艺成熟，制备成本低。

主权项

1.一种霍尔集成器件，其特征在于，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管；所述霍尔元件包括层叠设置的衬底、功能层和第一电极；所述信号放大元件在所述霍尔元件上的投影面积小于所述霍尔元件靠近所述信号放大元件的表面面积，所述第一电极直接形成在所述信号放大元件与所述霍尔元件形成的平台上；还包括形成在所述霍尔元件和所述信号放大元件之间的腐蚀阻挡层。